雙面光刻機
來源： | 發布時間：2015-12-26 |
雙面光刻機主要技術指標
雙面對準，單面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
雙面對準，雙面曝光（適用于6″、5″、4″、3″、2″基片）
1、適用于6″、5″、4″、3″、2″基片，基片厚度≤1.5mm 。
2、具有相對應的版夾盤，，□7″×7″、□6″×6″/□5″×5″、□4″×4″、□2.5″×2.5″。
3、調密著真空度，能實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
4、采用鷹眼曝光頭，光的不均勻性≤±3%，曝光時間0～9999.9秒可調。
5、具有預定位靠尺：利用基片切邊進行定位，定位精度≤1微米 。
6、具有雙工作承片臺，利用曝光時間，進行卸片、上片工作。
G-30型雙面光刻機
主要用途
主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和生產。由于本機找平機構先進，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光。
工作方式
本機采用雙面對準單面曝光方式。既可以對基片的正面進行對準曝光，又可對基片的反面相對于正面對準曝光
主要構成
主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場立式顯微鏡、雙目分離視場臥式顯微鏡、數字式攝像頭、計算機成象記憶系統、多點光源（蠅眼）曝光頭、PLC控制系統、氣動系統、真空系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
主要功能特點
1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.分辨率高
采用高均勻性的多點光源（蠅眼）曝光頭，非常理想的三點式自動找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不動片動的下置式三層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便
主要技術指標
曝光類型：正、反面對準單面曝光
曝光面積：≥φ115mm
曝光不均勻性：≤±3%
曝光強度：≥20mw/cm2（365nm、404nm、435nm的組合紫外光）
曝光分辨率：1μm
曝光模式：可選擇正面對準套刻曝光或反面對準套刻曝光
對準范圍：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm、Q細調±3°
對準精度：正面1μm、反面3～5μm
分離量;0～50μm可調
接觸－分離漂移：≤±0.5μm
曝光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
找平機構：三點式自動找平
顯微系統：
1)正面對準采用雙視場CCD立式顯微鏡:總放大倍數45X～300X(物鏡放大倍數1.1X～7.5X連續變倍)，雙物鏡可調距離11mm～100mm，掃描范圍:X±40mm、Y±35mm;
2)反面對準采用雙視場CCD臥式顯微鏡:總放大倍數60X、120X兩種(物鏡放大倍數2X、4X兩種),雙物鏡可調距離25mm～70mm;
3)兩種顯微鏡共用一套計算機圖像處理系統
掩模版尺寸：2.5″×2.5″(或3″×3″)、4″×4″、5″×5″
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度：≤5mm
曝光燈功率：直流350W
曝光定時：0～999.9秒可調
對準方式：切斯曼對準機構
曝光頭轉位：氣動
電源：單相AC220V 50Hz 功耗≤1kW
潔凈空氣壓力：≥0.4Mpa
真空度：-0.07MPa～-0.09Mpa
尺寸： 920×680×1600 (L×W×H)mm
重量：～170kg
G-33型雙面光刻機
主要用途：
主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路的研制和生產。
工作方式：
本機采用版—版對準雙面同時曝光方式，亦可用于單面曝光。
主要構成：
主要由高精度對準工作臺、Z軸升降機構、雙視場CCD顯微顯示系統)、二臺多點光源蠅眼式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。
主要功能特點
1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下(最小尺寸為5×5mm)，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.分辨率高
采用高均勻性的多點光源（蠅眼）曝光頭，非常理想的三點找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不動片動的下置式五層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。
5.特設“碎片”處理功能
解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
技術參數
1．曝光類型：單面對準雙面一次曝光;
2．曝光面積：≥φ165mm;
3．曝光不均勻性：φ150mm內≤±3%;
4．曝光強度：≥12mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的組合紫外光）;
5．曝光分辨率：≤1.5μm;
6．曝光模式：雙面同時曝光;
7．對準精度：上版與下版的對準精度≤±3μm;
8．對準范圍：X：±5mm Y：±5mm;
9．旋轉范圍：Q向旋轉調節≥±5°;
10．最大升降：≥20mm;
11．密著曝光方式：密著曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
12．顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡60X～400X連續變倍，顯微鏡掃描范圍：
X：±40mm ， Y：±35mm;雙物鏡距離可調范圍：45mm～150 mm，計算機圖
像處理系統，19″液晶監視器;
13．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″;
14．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″;
15．基片厚度：≤5 mm
16．曝光燈功率：直流2×350W;
17．曝光定時：0～999.9秒可調;
18. 電源：單相AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW;
19．潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4MPa;
20．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
21．尺寸： 985mm（長）×680mm（寬）×1800mm（高）;
22．重量：約190Kg。
G-35型雙面光刻機
主要用途：
主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路的研制和生產。
工作方式：
本機采用版—版對準雙面同時曝光方式，亦可用于單面曝光。
主要構成：
主要由高精度對準工作臺、Z軸升降機構、雙視場CCD顯微顯示系統)、二臺多點光源蠅眼式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。
主要功能特點
適用于φ主要技術指標
曝光類型：單面對準雙面一次曝光;
曝光面積：≥φ115mm;
曝光不均勻性：φ100mm內≤±3%;
曝光強度：≥20mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的組合紫外光）;
曝光分辨率：≤1μm;
曝光模式：雙面同時曝光;
對準精度：上版與下版的對準精度≤±3μm;100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
對準范圍：X：±5mm Y：±5mm;
旋轉范圍：Q向旋轉調節≥±5°;
最大升降：≥20mm;
密著曝光方式：密著曝光可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光;
顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡60X～400X連續變倍（物鏡1.5X～10X)顯微鏡掃描范圍：X：±40mm ， Y：±35mm; 雙 物鏡距離可調范圍：25mm～150 mm，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器;
掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″;
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″;
基片厚度：≤5 mm
曝光燈功率：直流2×350W;
曝光定時：0～999.9秒可調;
電源：單相AC220V 50HZ ，功耗≤1.5KW;
潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4MPa;
真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
尺寸： 985mm（長）×680mm（寬）×1800mm（高）;
重量：約180Kg。
Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。
3.操作簡便
X、Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。
4.可靠性高
采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的零件加工，使本機具有非常高的可靠性。
G-37型雙面光刻機
主要用途
主要用于集成電路、半導體元器件、光電子器件、光學器件研制和
生產。由于本機找平機構先進，找平力小，使本機不僅適合硅片、玻璃片、陶瓷片的曝光，而且也適合易碎片如砷化鉀、磷化銦等基片的曝光
工作方式
本機采用雙面對準單面曝光方式。既可以對基片的正面進行對準曝光，又可對基片的反面相對于正面對準曝光。
主要構成
主要由高精度對準工作臺、雙目分離視場立式顯微鏡、雙目分離視場臥式顯微鏡、數字式攝像頭、計算機成象記憶系統、多點光源（蠅眼）曝光頭、PLC控制系統、氣動系統、真空系統、直聯式真空泵、二級防震工作臺和附件箱等組成。
主要功能特點
1.適用范圍廣
適用于φ153mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.分辨率高
采用高均勻性的多點光源（蠅眼）曝光頭，非常理想的三點找平機構和穩定可靠的真空密著裝置，使本機的曝光分辨率大為提高。
3.套刻精度高、速度快
采用版不動片動的下置式五層導軌對準方式，使導軌自重和受力方向保持一致，自動消除間隙;承片臺升降采用無間隙滾珠直進導軌、氣動式Z軸升降機構和雙簧片微分離機構，使本機片對版在分離接觸時漂移特小，對準精度高，對準速度快，從而提高了版的復用率和產品的成品率。
4.可靠性高
采用PLC控制、進口電磁閥和按鈕、獨特的氣動系統、真空管路系統和經過精密機械制造工藝加工的零件，使本機具有非常高的可靠性且操作、維護、維修簡便。
5.特設“碎片”處理功能
解決非圓形基片、碎片和底面不平的基片造成的版片分離不開所引起的版片無法對準的問題。
技術參數
1．曝光類型：正、反面對準單面曝光;
2．曝光面積：≥φ165mm;
3．曝光不均勻性：≤±3%;
4．曝光強度：≥10mw/cm2（365nm; 404nm; 435nm的組合紫外光）;
5．曝光分辨率：1μm;
6．曝光模式：可選擇正面對準套刻曝光或反面對準套刻曝光;
7．對準范圍：X、Y粗調±3mm，細調±0.3mm;Q細調±3°;
9．對準精度：正面1μm;反面3～5μm;
10．分離量;0～50μm可調;
11．接觸－分離漂移：≤±0.5μm;
12．曝光方式：密著曝光，可實現硬接觸、軟接觸和微力接觸曝光。
13．找平機構：三點式自動找平。
14．顯微系統：
1）正面對準采用雙視場CCD立式顯微鏡：總放大倍數60X～400X（物鏡放
大倍數1.5X～10X連續變倍），雙物鏡可調距離45mm～150mm，掃描范圍:X±40mm ，Y±35mm;
2）反面對準采用雙視場CCD臥式顯微鏡：總放大倍數60X、120X兩種（物
鏡放大倍數2X、4X兩種）,雙物鏡可調距離25mm～70mm;
3）兩種顯微鏡共用一套計算機圖像處理系統。
15．掩模版尺寸：4″×4″、5″×5″、6″×6″、7″×7″;
16．基片尺寸：φ3″、φ4″、φ5″、φ6″;
17．基片厚度：≤5mm;
18．曝光燈功率：直流350W;
19．曝光定時：0～999.9秒可調;
20．對準方式：切斯曼對準機構。
21．曝光頭轉位：氣動;
22. 電源：單相AC220V 50HZ ，功耗≤1KW;
23．潔凈空氣壓力：≥0.4MPa;
24．真空度：-0.07MPa~-0.09MPa;
25．尺寸： 920mm（長）×680mm（寬）×1600mm（高）;
26．重量：約180Kg。
G-31型雙面光刻機
主要用途
主要用于中小規模集成電路、半導體元器件、光電子器件、聲表面波器件、薄膜電路的研制和生產。
工作方式
本機采用版—版對準雙面同時曝光方式，亦可用于單面曝光。
主要構成
主要由高精度對準工作臺、Z軸升降機構、雙視場CCD顯微顯示系統)、二臺多面反射式曝光頭、真空管路系統、氣路系統、直聯式真空泵、防震工作臺等組成。
主要功能特點
1.適用范圍廣
適用于φ100mm以下，厚度5mm以下的各種基片(包括非圓形基片)的對準曝光。
2.結構先進
Z軸采用滾珠直進式導軌和可實現硬接觸、軟接觸、微力接觸的真空密著機構，真空吸版，防粘片機構。
3.操作簡便
X\Y移動、Q轉、Z軸升降采用手動方式;
吸版、反吹采用按鈕方式，操作、調試、維護、修理都非常簡便。
4.可靠性高
采用進口電磁閥、按鈕、定時器;采用獨特的氣動系統、真空管路系統和精密的零件加工，使本機具有非常高的可靠性。
主要技術指標
曝光類型：單面對準雙面曝光
曝光面積：≥φ120mm
曝光不均勻性：≤±6%
曝光強度：≥5mw/cm2（365nm、404nm、435nm的組合紫外光）
曝光分辨率：≤2μm
曝光模式：雙面同時曝光
對準精度：上版與下版的對準精度≤5μm
對準范圍：X:±5mm Y:±5mm
旋轉范圍：Q向旋轉調節≥±5°
最大升降：≥20mm
密著曝光方式：密著曝光可實現硬接觸、 軟接觸和微力接觸曝光;
顯微系統：雙視場CCD系統，顯微鏡45X～300X連續變倍(物鏡1.1X～7.5X)，顯微鏡掃
描范圍：X：±40mm， Y：±35mm;雙物鏡距離可調范圍：11mm～100 mm，計算機圖像處理系統，19″液晶監視器;
掩模版尺寸：3″×3″、4″×4″、5″×5″
基片尺寸：φ2″、φ3″、φ4″
基片厚度：≤5 mm
曝光燈功率：直流2×200W
曝光定時：0～999.9秒可調
電源：單相AC 220V 50Hz 功耗≤1kW
潔凈壓縮空氣壓力：≥0.4Mpa
真空度：-0.07Mpa～-0.09Mpa
尺寸： 985×680×1450 (L×W×H)mm;
重量：～160kg
